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场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）的耗散功率是指在其工作时产生的热量损失，电源与场效应管的耗散功率计算公式通常涉及到电流和电压的乘积，具体公式可能因不同的场效应管类型（如JFET、IGBT等）而有所不同，场效应管的耗散功率计算公式如下：
P = I × V
P是耗散功率，I是通过场效应管的电流，V是场效应管两端的电压降，实际使用中，还需要考虑到环境温度、热阻等因素对耗散功率的影响。
至于场效应管的耗散功率是否越大越好，这个问题的答案并不是绝对的，场效应管的耗散功率越大，意味着在同样的工作条件下，它产生的热量损失更大，可能需要更大的散热系统来保持其正常工作，对于某些特定的应用场景，如需要处理大电流或高电压的情况，使用具有较高耗散功率的场效应管可能是必要的。
选择场效应管的耗散功率时，需要根据具体的应用需求和场景来考虑，在合适的工作条件下选择合适的场效应管，确保其能够满足性能要求并且安全可靠地运行是至关重要的，还需要注意散热问题，确保场效应管在工作时不会产生过高的热量。